孙钱98206校友摘取国家技术发明奖一等奖

中国科大98206校友孙钱，主要参与研究 “硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。该项目率先攻克硅基相关难题，所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位，并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平；并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术，自成体系；该项技术已经申请或拥有国际国内专利232项，其中已授权发明专利127项，实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。该研究团队被授予国家技术发明奖一等奖，这是年度唯一一个入选该奖项初评一等奖的项目，孙钱是该项目的第一完成人。

孙钱简介

1998年考入中国科技大学，2002年提前一年毕业获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖学金。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年8月获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院最高奖Becton奖学金。博士毕业后在耶鲁大学留任副研究员，承担和参与了硅衬底上高质量无裂纹GaN的外延生长及器件研发、非极性和半极性GaN的材料生长及LED制备、纳米多孔GaN的制备及其应用等多个重点科研项目，申请并获得了美国能源部、美国自然科学基金、以及工业界的多项科研资助。带领团队取得了一系列创新成果，包括一项国际技术专利（该专利已授权给一家半导体制造商做产品开发）。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任外延研发科学家，负责8英寸硅衬底上GaN基高亮度LED的外延研发，实现了与蓝宝石衬底上的顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160流明/瓦。该成果目前处于世界领先水平，受到了Wall Street Journal、MIT Technology Review、IEEE Spectrum等海内外众多知名媒体的报道，在学术界和工业界引起了巨大反响。（http://www.led-professional.com/technology/light-generation/bridgelux-boost-efficiency-record-for-gan-on-silicon-technology-leds-to-160lm-w）

2011年入选中组部的首批“青年千人计划”，苏州市“金鸡湖双百人才（海外高层次引进人才）”。迄今为止共发表了40余篇被SCI收录的学术论文，其中14篇为第一作者文章。总引用290余次，平均每篇引用近9次，H-index为11。参与编写了一部英文著作。曾受2010年国际氮化物会议IWN以及2010年SPIE Photonics West国际会议委员会邀请作大会报告。此外，还应邀为Nano Letters、Nanotechnology、 Applied Physics Letters等多家国际知名学术期刊评审论文。

2016-01-16